STP140N8F7 STM
Symbol Micros:
TSTP140n8f7
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 80V; 20V; 4,3mOhm; 90A; 200W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 90A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP140N8F7
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4383 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP140N8F7
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4376 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 90A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |