STP140NF55
Symbol Micros:
TSTP140NF55
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 80A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP140NF55 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 11,7900 | 10,1900 | 9,2400 | 8,6500 | 8,4200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP140NF55
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 8,4200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP140NF55
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3350 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 8,4200 |
Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 80A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |