STP14NK50Z

Symbol Micros: TSTP14NK50Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 380mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 500V
Producent: ST Symbol producenta: STP14NK50Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,7800 5,4100 4,6300 4,1600 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
157 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 380mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT