STP14NK50Z
Symbol Micros:
TSTP14NK50Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 14A |
Maksymalna tracona moc: | 150W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP14NK50Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,7800 | 5,4100 | 4,6300 | 4,1600 | 3,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP14NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP14NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP14NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
157 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 14A |
Maksymalna tracona moc: | 150W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |