STP14NK60ZFP
Symbol Micros:
TSTP14NK60ZFP
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 500mOhm; 13,5A; 40W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 40W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP14NK60ZFP RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,6400 | 7,2500 | 6,4400 | 5,9400 | 5,7600 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP14NK60ZFP
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3200 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,7600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 40W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |