STP15NK50Z
Symbol Micros:
TSTP15NK50
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 500V; 30V; 340mOhm; 14A; 160W; -50°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 340mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 160W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP15NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2893 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP15NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
995 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2080 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP15NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0548 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 340mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 160W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |