STP16NF06L

Symbol Micros: TSTP16NF06L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: ten el.został wycofany z produkcji; VBSEMI STP16NF06L-VB;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 16A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: VBsemi Symbol producenta: STP16NF06L-VB RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,2000 2,7900 2,1600 2,0900 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Producent: VBsemi Symbol producenta: STP16NF06L RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,2000 2,7900 2,1600 2,0900 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 16A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT