STP18NM80
Symbol Micros:
TSTP18NM80
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 295mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP18NM80 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 14,2700 | 12,7400 | 11,8100 | 11,2100 | 10,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP18NM80
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1524 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP18NM80
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
42150 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,9800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 295mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |