STP19NF20
Symbol Micros:
TSTP19NF20
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 160mOhm; 15A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 15A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP19NF20 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,7300 | 3,4700 | 2,7800 | 2,3900 | 2,2500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP19NF20
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
653 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP19NF20
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2980 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 15A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |