STP20NF06L
Symbol Micros:
TSTP20NF06L
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 18V; 85mOhm; 20A; 60W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 85mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 60W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ISC
Symbol producenta: STP20NF06L RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7700 | 2,3900 | 1,8900 | 1,7200 | 1,6400 |
Producent: import
Symbol producenta: STP20NF06L RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7700 | 2,3900 | 1,8900 | 1,7200 | 1,6400 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP20NF06L
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4456 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 85mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 60W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 18V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |