STP20NF20

Symbol Micros: TSTP20NF20
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 125mOhm; 18A; 110W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP20NF20 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1935 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1508
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP20NF20 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
16250 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT