STP20NM60FD
Symbol Micros:
TSTP20NM60FD
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 290mOhm; 20A; 192W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 290mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 192W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP20NM60FD
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,7869 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP20NM60FD
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2650 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4155 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP20NM60FD
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3768 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6580 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 290mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 192W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |