STP20NM60FP

Symbol Micros: TSTP20NM60FP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 290mOhm; 20A; 45W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 290mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP20NM60FP RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 14,2400 12,7000 11,7800 11,1800 10,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STP20NM60FP Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP20NM60FP Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
1458 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP20NM60FP Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
1150 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 290mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: THT