STP20NM60FP
Symbol Micros:
TSTP20NM60FP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 290mOhm; 20A; 45W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 290mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 20A |
Maksymalna tracona moc: | 45W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP20NM60FP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 14,2400 | 12,7000 | 11,7800 | 11,1800 | 10,9500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP20NM60FP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 10,9500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP20NM60FP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
1458 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 10,9500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP20NM60FP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
1150 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 10,9500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 290mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 20A |
Maksymalna tracona moc: | 45W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |