STP24N60M2
Symbol Micros:
TSTP24N60M2
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 25V; 190mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP24N60M2
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3850 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4080 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP24N60M2
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4077 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |