STP24NF10
Symbol Micros:
TSTP24NF10
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 20V; 60mOhm; 26A; 85W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 26A |
| Maksymalna tracona moc: | 85W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP24NF10
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
23550 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5129 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP24NF10
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
30150 szt.
| ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2742 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 26A |
| Maksymalna tracona moc: | 85W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |