STP26NM60N
Symbol Micros:
TSTP26NM60N
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 165mOhm; 20A; 140W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP26NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
19400 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3008 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP26NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2750 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,0129 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP26NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
250 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,2001 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |