STP30NF10
Symbol Micros:
TSTP30NF10
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 20V; 45mOhm; 35A; 115W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP30NF10 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,6200 | 3,0700 | 2,3600 | 2,2300 | 2,2000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP30NF10
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
31550 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP30NF10
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
971 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |