STP310N10F7 STM

Symbol Micros: TSTP310N10F7
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 2,7mOhm; 180A; 315W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 315W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP310N10F7 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 24,0600 20,3700 18,1500 16,7100 16,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STP310N10F7 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
11600 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP310N10F7 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1900 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP310N10F7 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 315W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT