STP34NM60N
Symbol Micros:
TSTP34NM60N
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 105mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 31,5A |
Maksymalna tracona moc: | 250W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP34NM60N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 14,0400 | 12,5300 | 11,6200 | 11,0300 | 10,8000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP34NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
498 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 10,8000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP34NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4950 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 10,8000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP34NM60N
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
226 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 10,8000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 105mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 31,5A |
Maksymalna tracona moc: | 250W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |