STP3NK60Z
Symbol Micros:
TSTP3NK60
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 3,6Ohm; 2,4A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP3NB60;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
6800 szt.
| ilość szt. | 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1014 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2735 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |