STP3NK80Z
Symbol Micros:
TSTP3NK80Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 4,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK80Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,9700 | 1,8800 | 1,4800 | 1,3500 | 1,2900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2555 szt.
ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4680 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1871 szt.
ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4403 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP3NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,3903 |
Rezystancja otwartego kanału: | 4,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |