STP3NK80Z

Symbol Micros: TSTP3NK80Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP3NK80Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9700 1,8800 1,4800 1,3500 1,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STP3NK80Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2555 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP3NK80Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1871 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4403
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP3NK80Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3903
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT