STP40NF10
Symbol Micros:
TSTP40NF10
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP40NF10 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,2100 | 3,8200 | 3,0700 | 2,6300 | 2,4800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP40NF10
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4720 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP40NF10
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
34050 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |