STP40NF12

Symbol Micros: TSTP40NF12
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 120V; 20V; 32mOhm; 40A; 150W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 40A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 120V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP40NF12 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,9500 4,5400 3,7600 3,2900 3,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 40A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 120V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT