STP45NF06
Symbol Micros:
TSTP45NF06
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 28mOhm; 38A; 80W; -65°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 38A |
Maksymalna tracona moc: | 80W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP45NF06 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,9500 | 2,9000 | 2,3200 | 1,9900 | 1,8800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP45NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
30 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,9191 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP45NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
510 szt.
ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,8800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 38A |
Maksymalna tracona moc: | 80W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |