STP40NF10

Symbol Micros: TSTP4N150
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 1500V; 30V; 7Ohm; 4A; 160W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP4N150 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
cena netto (PLN) 27,8900 25,6900 24,3400 23,4500 23,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STP4N150 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
5140 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 23,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP4N150 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
9023 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 23,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP4N150 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
33250 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 23,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT