STP40NF10
Symbol Micros:
TSTP4N150
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 1500V; 30V; 7Ohm; 4A; 160W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 7Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4N150 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 27,8900 | 25,6900 | 24,3400 | 23,4500 | 23,2400 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4N150
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
5140 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 23,2400 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4N150
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
9023 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 23,2400 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4N150
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
33250 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 23,2400 |
Rezystancja otwartego kanału: | 7Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |