STP4NK60Z
Symbol Micros:
TSTP4NK60Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4NK60Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
125 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1100 | 1,9700 | 1,5500 | 1,4100 | 1,3500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4289 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP4NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6376 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |