STP4NK80ZFP

Symbol Micros: TSTP4NK80ZFP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 30V; 3,5Ohm; 3A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP4NK80ZFP Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
10200 szt.
ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7138
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP4NK80ZFP Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
2756 szt.
ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9636
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT