STP55NF06
Symbol Micros:
TSTP55NF06
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP36NF06; HT55NF06ASZ;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP55NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2960 szt.
| ilość szt. | 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2236 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP55NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2700 szt.
| ilość szt. | 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1572 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP55NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4404 szt.
| ilość szt. | 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2005 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-04-22
Ilość szt.: 1000
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |