STP5NK100Z
Symbol Micros:
TSTP5NK100Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 3,7Ohm; 3,5A; 125W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP5NK100Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,9700 | 6,3600 | 5,4400 | 4,8900 | 4,6900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP5NK100Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
42655 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,6900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP5NK100Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
9795 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,6900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |