STP5NK80Z
Symbol Micros:
TSTP5NK80Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 30V; 2,4Ohm; 4,3A; 110W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP5NK80Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,6600 | 3,9700 | 3,1700 | 3,0200 | 2,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP5NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
6857 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP5NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
6903 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |