STP60NF06
Symbol Micros:
TSTP60NF06
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 60A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60NF06 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 350+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,5800 | 3,0400 | 2,3400 | 2,2100 | 2,1800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
8855 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,1800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
30500 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,1800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
28068 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,1800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 60A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |