STP60NF06L
Symbol Micros:
TSTP60NF06L
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60NF06L RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,6000 | 3,3800 | 2,7100 | 2,3200 | 2,1900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60NF06L
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2007 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP60NF06L
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 15V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |