STP62NS04Z

Symbol Micros: TSTP62NS04Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 33V; 15mOhm; 62A; 110W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: 62A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 33V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP62NS04Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 8,2500 6,5500 5,7000 5,5600 5,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: 62A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 33V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta