STP65NF06
Symbol Micros:
TSTP65NF06
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 14mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 14mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 60A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP65NF06 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
32 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,1100 | 3,9000 | 3,2300 | 2,8300 | 2,6900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP65NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
20499 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,6900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP65NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
750 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,6900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP65NF06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
61700 szt.
ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,6900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 14mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 60A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |