STP6N62K3

Symbol Micros: TSTP6N62K3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 620V; 30V; 1,2Ohm; 5,5A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 5,5A
Maksymalna tracona moc: 90W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 620V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP6N62K3 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 1,2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 5,5A
Maksymalna tracona moc: 90W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 620V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT