STP6N62K3
Symbol Micros:
TSTP6N62K3
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 620V; 30V; 1,2Ohm; 5,5A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 620V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP6N62K3 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1800 | 3,0700 | 2,4600 | 2,1100 | 1,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP6N62K3
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4663 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 620V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |