STP6NB50
Symbol Micros:
TSTP6NB50
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 500V; 30V; 1,5Ohm; 5,8A; 100W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Producent: SGS
Symbol producenta: STP6NB50
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
1369 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9100 | 1,1600 | 0,8890 | 0,8020 | 0,7630 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |