STP6NK90Z

Symbol Micros: TSTP6NK90Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 5,8A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP6NK90Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 6,7800 5,0300 4,1900 4,0900 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STP6NK90Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
11901 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP6NK90Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
3950 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP6NK90Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1643 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 5,8A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT