STP6NK90ZFP
Symbol Micros:
TSTP6NK90ZFP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP6NK90ZFP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 250+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,1900 | 6,0700 | 5,3000 | 5,0400 | 4,8200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP6NK90ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
17450 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP6NK90ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
4381 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |