STP75NF75

Symbol Micros: TSTP75NF75
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 75V; 20V; 11mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP75NE75;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 75V
Producent: ST Symbol producenta: STP75NF75 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,6700 4,6700 3,7400 3,6300 3,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Producent: ST Symbol producenta: STP75NF75 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
17813 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP75NF75 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
5350 szt.
ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT