STP7NK80Z
Symbol Micros:
TSTP7NK80Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,8Ohm; 5,2A; 125W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7NK80Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4000 | 4,8900 | 4,0400 | 3,5500 | 3,3700 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
11402 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3700 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3700 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
5100 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |