STP7NK80ZFP
Symbol Micros:
TSTP7NK80ZFP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,8Ohm; 5,2A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,8Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
Maksymalna tracona moc: | 30W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7NK80ZFP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 8,7800 | 6,7500 | 5,7300 | 5,6100 | 5,4900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7NK80ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
3100 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,4900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7NK80ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
1290 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,4900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP7NK80ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,4900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,8Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
Maksymalna tracona moc: | 30W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |