STP80NF03L-04 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTP80NF03L-04
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 30V; 20V; 6,5mOhm; 80A; 300W; -65°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 80A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF03L-04 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 7,5700 | 6,0300 | 5,1600 | 4,6400 | 4,4500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF03L-04
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
45450 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,4500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF03L-04
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2445 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,4500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 80A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |