STP80NF10FP

Symbol Micros: TSTP80NF10fp
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 38A; 45W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: 38A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP80NF10FP RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,9900 7,5400 6,7000 6,1800 5,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: 38A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT