STP80NF12 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTP80NF12
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 120V; 20V; 18mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 120V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF12 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
99 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,4800 | 6,5100 | 5,7900 | 5,5400 | 5,3000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF12
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF12
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4900 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 120V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |