STP80NF55-06
Symbol Micros:
TSTP80NF55-06
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF55-06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9365 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF55-06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
5350 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8323 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF55-06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2503 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8999 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |