STP80NF55-08

Symbol Micros: TSTP80NF55-08
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP80NF55-08 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,0400 7,9700 7,2000 6,8100 6,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT