STP80NF55-08
Symbol Micros:
TSTP80NF55-08
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF55-08 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,5500 | 8,3700 | 7,5700 | 7,1600 | 7,0300 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF55-08
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4100 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,0300 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP80NF55-08
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,0300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |