STP8NK80Z
Symbol Micros:
TSTP8NK80Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,5Ohm; 6,2A; 140W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP8NK80Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6100 | 5,2700 | 4,5100 | 4,0600 | 3,8900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP8NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
900 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP8NK80Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
7097 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |