STP95N4F3

Symbol Micros: TSTP95N4F3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 80A; 110W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP95N4F3 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1200 3,0200 2,4200 2,0800 1,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 6,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT