STP95N4F3
Symbol Micros:
TSTP95N4F3
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 80A; 110W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP95N4F3 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1200 | 3,0200 | 2,4200 | 2,0800 | 1,9600 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP95N4F3
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
23000 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4491 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP95N4F3
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3246 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |