STP9NK50Z
Symbol Micros:
TSTP9NK50Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 850mOhm; 7,2A; 110W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,2A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,2A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |