STP9NK60Z
Symbol Micros:
TSTP9NK60
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 950mOhm; 7A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP9NC60;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK60Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,1200 | 4,2700 | 3,6300 | 3,4100 | 3,2200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1300 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK60Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3050 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |