STP9NK60ZFP
Symbol Micros:
TSTP9NK60ZFP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 950mOhm; 7A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK60ZFP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,7600 | 4,0300 | 3,2300 | 3,1300 | 3,0300 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK60ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0300 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK60ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
430 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 950mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |